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锗，具有半导体性质。对固体物理和固体电子学的发展超过重要作用。锗的熔密度5.32克/厘米3，锗可能性划归稀散金属，锗化学性质稳定，常温下不与空气或水蒸汽作用，但在600～700℃时，很快生成二氧化锗。与盐酸、稀硫酸不起作用。浓硫酸在加热时，锗会缓慢溶解。在硝酸、王水中，锗易溶解。碱溶液与锗的作用很弱，但熔融的碱在空气中，能使锗迅速溶解。锗与碳不起作用，所以在石墨坩埚中熔化，不会被碳所污染。锗有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率等等。
锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法(CZ)法或者垂直梯度法(VGF法)等方法制备的锗单晶体。直拉法(CZ):拉晶前先将设备各部件、合金石英坩埚、高纯锗锭和籽晶进行清洁处理。将高纯锗经配料和掺杂，加入单晶炉的合金石英坩埚中，再经抽真空、熔化，在流通的氩气气氛下，人工引晶放肩和收尾。晶体的等径生长过程中，控制拉速、坩埚和籽晶转速等措施，以及自动控制炉温和单晶直径等技术使其获得直径均匀的产品。经检测、称量，制得锗单晶成品。悬浮区熔匀平法:所用的炉子为水平式石英管加热炉，能生产电阻率均匀的锗单晶。在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗;掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。
锗产业链包括上游的资源提炼、中游的提纯和深加工以及下游红外、光纤等方面的高端应用。从技术难度上来看，上游的提炼壁垒最低，但环保压力*；中间环节的深加工技术难度大，高纯锗的制备工艺要求高，也是产业链中利润较为丰厚的部分；下游的应用由于涉及领域广，技术进步快，保持持续高盈利较难，行业波动大。目前锗产业的核心仍在中下游的深加工和应用，若是主要资源大国政策加码导致产量收缩，锗资源将会成为产业发展至关重要的因素。
高纯度的锗是半导体材料。从高纯度的氧化锗还原，再经熔炼可提取而得。掺有微量特定杂质的锗单晶，可用于制各种晶体管、整流器及其他器件。锗的化合物用于制造荧光板及各种高折光率的玻璃。锗单晶可作晶体管，是第一代晶体管材料。锗材用于辐射探测器及热电材料。高纯锗单晶具有高的折射系数，对红外线透明，不透过可见光和紫外线，可作专透红外光的锗窗、棱镜或透镜。锗和铌的化合物是超导材料。二氧化锗是聚合反应的催化剂，含二氧化锗的玻璃有较高的折射率和色散性能，可作广角照相机和显微镜镜头，三氯化锗还是新型光纤材料添加剂。
